Im Fertigungsbereich ist die Nachbehandlung nach der Belichtung entscheidend für die Kontrolle der Dimensionen des Chips. Schon eine Abweichung von...

Auf dem Lithographie-Bereich kann eine Drift von 0,3 °C während des E-Beam-Resist-Backens ein kontrolliertes Muster in ein Chaos der Linienbreiten...