Bộ gia nhiệt nướng thuốc tráng E beam

Wed, 10 Jun 2026 02:02:43 +0800

Trên sàn lithography, sự chênh lệch 0.3°C trong quá trình nung e-beam resist có thể biến một mẫu kiểm soát thành sự hỗn loạn về bề rộng đường nét. Chúng tôi thiết kế bộ gia nhiệt nung e-beam resist để ngăn chặn sự chênh lệch đó ngay từ đầu — vì năng suất được đo bằng nanomet, không phải ý kiến.

Những yếu tố quan trọng bên trong

Chúng tôi sử dụng phần tử tia hồng ngoại sóng ngắn với đường dẫn nhiệt dựa trên thạch anh, giúp phản ứng nhiệt nhanh và nhiệt độ ổn định duy trì cố định. Độ đồng đều ở mức wafer giữ trong ±0.1°C trên bề mặt nung, độ lặp lại đạt ±0.05°C giữa các lô. Các bước điều chỉnh nhiệt độ theo đặc tính được thiết kế để lặp lại, nên quy trình soft bake và hard bake không bị lệch, ngay cả khi dòng sản xuất xếp liên tục. Nền tảng được thiết kế dành cho phòng sạch Class 1–100, sử dụng vật liệu và bề mặt lựa chọn nhằm giữ sinh ra hạt gần như bằng không. Trong thực tế, điều này chuyển thành giảm tỷ lệ loại do nhiễm bẩn và tăng thời gian hoạt động giữa các chu kỳ vệ sinh.

Chống Lại; Kháng Cự on The Warm IR Heating Factory

Bộ gia nhiệt nướng thuốc tráng E beam