<?xml version="1.0" encoding="utf-8" standalone="yes"?>
<rss version="2.0" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom">
	<channel>
		<title>Nướng on The Warm IR Heating Factory</title>
		<link>http://warm-ir-factory.com/vi/tags/n%C6%B0%E1%BB%9Bng/</link>
		<description>Recent content in Nướng on The Warm IR Heating Factory</description>
		<generator>Hugo</generator>
		<language>vi</language>
		
		
		
		
			<lastBuildDate>Fri, 26 Jun 2026 01:43:45 +0800</lastBuildDate>
		
			<atom:link href="http://warm-ir-factory.com/vi/tags/n%C6%B0%E1%BB%9Bng/index.xml" rel="self" type="application/rss+xml" />
			<item>
				<title>Máy sấy sau quá trình chiếu xạ (PEB)</title>
				<link>http://warm-ir-factory.com/vi/posts/post-exposure-bake-peb-heater/</link>
				<pubDate>Fri, 26 Jun 2026 01:43:45 +0800</pubDate>
				<guid>http://warm-ir-factory.com/vi/posts/post-exposure-bake-peb-heater/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://warm-ir-factory.com/images/0ea7296bcdd661f341d1983d454c4037.png&#34; alt=&#34;Máy sấy sau quá trình chiếu xạ (PEB)&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;&lt;a href=&#34;https://o-yate.net&#34;&gt;Trong&lt;/a&gt; quy trình sản xuất, bước nung sau khi chiếu tia là yếu tố quyết định mức độ kiểm soát kích thước các chi tiết trên wafer. Chỉ cần sự sai lệch 0,5 độ trên bề mặt wafer cũng đủ để khiến độ dày của lớp phim &lt;a href=&#34;https://o-yate.com&#34;&gt;quang&lt;/a&gt; học vượt ngưỡng chấp nhận được; điều này đồng nghĩa với việc hàng giờ lao động để chiếu tia và xử lý wafer sẽ trở thành vô ích. Đó là lý do tại sao các bộ sưởi PEB của chúng tôi được thiết kế để duy trì mức nhiệt ổn định trong suốt quá trình sản xuất.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
			<item>
				<title>Bộ gia nhiệt nướng thuốc tráng E beam</title>
				<link>http://warm-ir-factory.com/vi/posts/e-beam-resist-baking-heater/</link>
				<pubDate>Wed, 10 Jun 2026 02:02:43 +0800</pubDate>
				<guid>http://warm-ir-factory.com/vi/posts/e-beam-resist-baking-heater/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://warm-ir-factory.com/images/0ea7296bcdd661f341d1983d454c4037.png&#34; alt=&#34;Bộ gia nhiệt nướng thuốc tráng E beam&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Trên sàn lithography, sự chênh lệch 0.3°C trong quá trình nung e-beam &lt;a href=&#34;https://o-yate.net&#34;&gt;resist&lt;/a&gt; có thể biến một mẫu kiểm soát thành sự hỗn loạn về bề rộng đường nét. Chúng tôi thiết kế bộ gia nhiệt nung e-beam resist để ngăn chặn sự chênh lệch đó ngay từ đầu — vì năng suất được đo bằng &lt;a href=&#34;https://henruite.com&#34;&gt;nanomet&lt;/a&gt;, không phải ý kiến.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;&lt;strong&gt;Những yếu tố quan trọng bên trong&lt;/strong&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Chúng tôi sử dụng phần tử tia hồng ngoại sóng ngắn với đường dẫn nhiệt dựa trên thạch anh, giúp phản ứng nhiệt nhanh và nhiệt độ ổn định duy trì cố định. Độ đồng đều ở mức wafer giữ trong ±0.1°C trên bề mặt nung, độ lặp lại đạt ±0.05°C giữa các lô. Các bước điều chỉnh nhiệt độ theo đặc tính được thiết kế để lặp lại, nên quy trình soft bake và hard bake không bị lệch, ngay cả khi dòng sản xuất xếp liên tục. Nền tảng được thiết kế dành cho phòng sạch Class 1–100, sử dụng vật liệu và bề mặt lựa chọn nhằm giữ sinh ra hạt gần như bằng không. Trong thực tế, điều này chuyển thành giảm tỷ lệ loại do nhiễm bẩn và tăng thời gian hoạt động giữa các chu kỳ vệ sinh.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
	</channel>
</rss>
